韶關(guān)市金源金屬材料有限公司供應(yīng)磷化銦、磷化銦單晶、磷化銦晶片2寸3寸4寸，

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簡(jiǎn)要介紹

InP單晶材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測(cè)器等的關(guān)鍵材料

詳細(xì)參數(shù)

InP單晶基片 InP單晶材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測(cè)器等的關(guān)鍵材料，這些器件實(shí)現(xiàn)了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等方面由于其本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽(yáng)能電池、異質(zhì)結(jié)晶體管等許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用. InP單晶材料的主要生長(zhǎng)方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）、改進(jìn)的LEC技術(shù)、氣壓控制直拉技術(shù)（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技術(shù)（VGF）/垂直布里奇曼技術(shù)（VB）等。 晶體 結(jié)構(gòu) 晶向 熔點(diǎn) oC 密度 g/cm3 禁帶寬度 InP 立方, a=5.869 A 1600 4.79 1.344 主要性能參數(shù) 單晶 摻雜 導(dǎo)電 類(lèi)型 載流子濃度 cm-3 遷移率(cm2/V.s) 位錯(cuò)密度(cm-2) 標(biāo)準(zhǔn)基片 InP 本征 N (0.4-2)*1016 (3.5-4)*103 5*104 Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm InP S N (0.8-3)*1018 (4-6)*1018 (2.0-2.4*103 (1.3-1.6*103 3*104 2*103 Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm InP Zn P (0.6-2)*1018 70-90 2*104 Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm InP Fe N 107-108 32000 3*104 Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm 尺寸（mm） Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底 表面粗糙度 Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測(cè)報(bào)告 拋光 單面或雙面 包裝 100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室